半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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半导体结构及其制备方法.pdf

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本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一基底、一第一元件、一第二元件、一鳍部、一第一栅极介电层、一第二栅极介电层，以及该鳍部的一裁切区。该第二元件邻近该第一元件设置。该鳍部配置在位在该第一元件与该第二元件之间的该基底上。该第一栅极介电层配置在该鳍部的一第一部分上，而该第二栅极介电层配置在该鳍部的一第二部分上。该鳍部的该裁切区形成在位在该第一元件与该第二元件之间的一沟槽内。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112242394 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 20201