半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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半导体器件及其制备方法.pdf

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本发明提供一种半导体器件及其制备方法，其包括如下步骤：提供基底层，基底层上设置有栅极，基底层内设置有源极区域、漏极区域及沟道区，栅极与沟道区对应，源极区域及漏极区域设置在栅极两侧；在基底层上，在源极区域与栅极之间的待掺杂区上及漏极区域与栅极之间的待掺杂区上形成图形化的阻挡层，阻挡层间隔遮挡部分待掺杂区；对待掺杂区进行掺杂，形成轻掺杂区。本发明在需要降低轻掺杂区的掺杂剂量的区域(宽管子区域)形成阻挡层，通过阻挡层遮挡作用降低该区域掺杂剂量，从而避免不需要降低轻掺杂区的掺杂剂量的区域(窄管子区域)掺

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112233981 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202011089159.7 H01L 27/11524 (2017.01)