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场效应管 3.1 MO S场效应管 3.2结型场效应管 3.3场效管应用原理 E1 F -「 , .三反 . 第一反 其:Ii , 第 十一 章J 运算放大器 概 这 一 E 场效应管是另 种具有正向受控作用的半导体器件。 1日 吁 它体积小、工艺简单,器件特性便于控制,是目前制 造大规模集成电路的主要有源器件。 场效应管分类s J MOS场效应管 L 结型场效应管 场效应管与三极管主要区 s ·场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。 斗兰 卡 ·场效应管是单极型器件 〉。 〈三极管是双极型器件 m气页 , 其:Ii , .三反 . 第 十一 章J 运算放大器 1 MOS场效应 H月 ( N沟道 (NMOS) 增强型(EMOS)」 L P沟道 (PMOS) MOSFET rN沟道(NMOS) 耗尽型(DMOS汁 L p沟道 (PMOS) N沟道MOS管与P沟道MOS管工作原理相似, 不同之处 仅在于它们形成电流的载流子性质不同, 因此导致加 在各极上的电压极性相反。 44. E1 F - 「 - 第三反 , 其:Ii , .三反 . 第十 一 章J运算放大器 3. 1. 1 增强型MOS场效应,e ON沟道EMOSFET结构示意图 H月 金属栅极 翩 衬底极 -- 二
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