有哪些信誉好的足球投注网站- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种MOSFET器件及制备方法，涉及半导体功率器件领域。用于解决现有MOSFET外围耐压存在可靠性较差和外围耐压较弱的问题。包括：有源区沟槽，外围沟槽，第一导电类型漂移层、第一导电类型体区和第二导电类型源区；所述第一导电类型漂移层上设置所述有源区沟槽和外围沟槽；所述有源区沟槽之间、所述有源区沟槽与所述外围沟槽之间设置所述第二导电类型源区，所述第二导电类型源区的底部与所述第一导电类型体区的上表面相接触；所述外围沟槽内的SAC氧化层的厚度大于所述栅极氧化层的厚度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112234103 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202011220096.4 (22)申请日 2020.11.04 (71)申请人 华羿微电子股份有限公司
文档评论（0）