半导体器件和半导体封装件.pdfVIP

下载本文档

0
0
约2.81万字
约 36页
2023-05-25 发布于四川
举报
版权申诉

半导体器件和半导体封装件.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

提供了一种半导体器件和半导体封装件。所述半导体体器件包括：具有至少一个半导体结构的半导体衬底；层间绝缘层，其设置在半导体衬底上；至少一个第一过孔结构，其穿透半导体衬底和层间绝缘层，并包括第一区域和第二区域，所述第一区域在层间绝缘层的上表面具有第一宽度，所述第二区域从第一区域延伸，并且在半导体衬底的下表面具有第二宽度，其中，第一区域的侧表面和第二区域的侧表面在第一区域与第二区域之间的边界具有不同的轮廓；以及至少一个第二过孔结构，其穿透半导体衬底和层间绝缘层，并且在层间绝缘层的上表面具有大于第一宽度

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112242366 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 202010655330.X (22)申请日 2020.07.09 (30)优先权数据