高功率射频半导体集成电阻和半导体芯片.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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本发明提供了一种高功率射频半导体集成电阻和半导体芯片，涉及半导体器件领域，设置在半导体芯片上，包括信号输入端、信号输出端、电阻层和等效电容结构，电阻层设置在信号输入端和信号输出端之间，等效电容结构与信号输入端相连接；等效电容结构用于分流，通过在高功率射频半导体集成电阻的信号输入端添加等效电容结构，降低输入端流过电阻的电流密度，并增加高功率射频半导体集成电阻射频信号承载能力以及过电流能力，保证半导体芯片的可靠性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112234142 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202011461676.2 (22)申请日 2020.12.14 (71)申请人南京元络芯科技有限公司