一种可低温烧结的ZnO-Bi2O3基低压压敏陶瓷及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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一种可低温烧结的ZnO-Bi2O3基低压压敏陶瓷及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种可低温烧结的ZnO‑Bi2O3基低压压敏陶瓷及其制备方法，具体为一种可在900℃低温烧结的具有高非线性、低电位梯度的ZnO‑Bi2O3基压敏陶瓷材料及其器件。材料由ZnO、Bi2O3、TiO2、Co2O3、MnO2和B2O3组成，配方为98mol%ZnO+0.5molBi2O3%+0.5mol%TiO2+0.5mol%Co2O3+0.5mol%MnO2+xwt%B2O3，其中0

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112225554 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202011074196.0 (22)申请日 2020.10.08 (71)申请