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2023-05-25 发布于四川
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一种芯片结构包括第一半导体芯片及第二半导体芯片。所述第一半导体芯片包括第一半导体衬底、第一内连层、第一保护层、间隙填充层及第一导通孔，第一内连层位于第一半导体衬底上，第一保护层覆盖第一内连层，间隙填充层位于第一保护层上，第一导通孔嵌置在间隙填充层中且与第一内连层电连接。所述第二半导体芯片嵌置在第一半导体芯片内且被间隙填充层及第一导通孔环绕，其中第二半导体芯片包括第二半导体衬底、第二内连层、第二保护层及第二导通孔，第二内连层位于第二半导体衬底上，第二保护层位于第二内连层上，第二导通孔嵌置在第二保护

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112242383 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 20191