电阻式随机存取存储器结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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电阻式随机存取存储器结构及其制造方法.pdf

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本发明提供一种电阻式随机存取存储器结构及其制造方法。此电阻式随机存取存储器结构包括依序形成于基板上的底电极层、电阻转态层及注入控制层。电阻转态层包括导电丝局限区及围绕导电丝局限区的外围区。此电阻式随机存取存储器结构包括保护层及顶电极层。保护层共形地覆盖底电极层、电阻转态层及注入控制层，且具有一开口。顶电极层位于注入控制层上，且顶电极层的一部分填入开口中。顶电极层的位置对应于导电丝局限区的位置，且顶电极层的顶表面高于保护层的顶表面。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112259681 A (43)申请公布日 2021.01.22 (21)申请号 20191