二零二三年 优质公开课功率开关管.pptxVIP

通信用高频开关电源功率开关管 垂直导电型功率场效应管目 录 功率晶体管（ GTR ）0102 绝缘栅式双极型晶体管03 IGBT＋VMOSFET (并联)04 功率晶体管（ GTR ）特性：存储时间是影响开关频率的主要因素。安全工作区小，存在二次击穿现象。是双极型大功率晶体管属于电流控制器件i b 垂直导电型功率场效应管漏极（D）源极（S）栅极（G）G+ D_ S垂直导电型MOS功率场效应晶体管（Vertical MOSFET）简称VMOSFET为单极型晶体管 垂直导电型功率场效应管分类：　 VVMOSFET VDMOSFET　－垂直导电V型槽MOS场效应管　　－垂直导电双扩散MOS场效应管 垂直导电型功率场效应管用栅极G电场来控制漏极D和源极S之间的沟道电导，从而控制漏极电流（ID），在直流状态下栅极几乎没有电流广泛使用的是MOS场效应晶体管（MOSFET）属于电压控制器件 垂直导电型功率场效应管VMOSFET的优缺点 驱动功率小 开关速度快 安全工作区大 通态电阻较大； 导通损耗大缺 点优 点 绝缘栅式双极型晶体管VMOS场效应晶体管和双极型晶体管的混合器件GCEIGBT的简化等效电路 IGBT的图形符号 绝缘栅式双极型晶体管IGBT特点： IGBT的关断特性 输入阻抗高，驱动电流小，驱动电路简单断开时产生电流拖尾现象，使工作频 率受到限制。1电压控制型器件2导通损耗小3存在电荷存贮效应 IGBT＋VMOSFET (并联)基本思想： 导通时：主要由IGBT起作用； 关断时：控制MOSFET继续导通；IGBT完全关断后再关断MOSFET。特点： 既有IGBT通态损耗小，又有VMOSFET开关损耗小的优点MOSFETIGBT