一种全彩硅基OLED结构以及制备方法.pdfVIP

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本发明公开了一种全彩硅基OLED结构和制备方法,其中,所述全彩硅基OLED结构包括:从下至上依次叠加的金属阳极层、有机功能层、金属阴极层、封装层和滤光片层;所述有机功能层包括:发光层,以向所述金属阴极方向发射白光;所述发光层包括:红色发光单元、蓝色发光单元、绿色发光单元和发光共同传输层;所述红色发光单元和所述蓝色发光单元蒸镀在同一张FMM模板上,OLED结构上的其他结构膜层都蒸镀在CMM模板上;且在所述发光层中满足:dRB‑dG=dEML‑R+dEML‑B。该结构克服现有技术中因RGB各自的谐振

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112242430 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 202011122343.7 (22)申请日 2020.10.20 (71)申请人 安徽

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