一种硅波导及其制备方法.pdfVIP

一种硅波导及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种硅波导及其制备方法。一种硅波导的制备方法，包括：在半导体基底上形成矩形硅波导；通入氢气气流，对所述矩形硅波导进行退火处理，使表面光滑，退火温度为975℃～1025℃。本发明方法利用高温退火工艺将矩形光波导修正为表面光滑的弧形波导，降低了粗糙度，从而降低波导传输损耗。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112198588 A (43)申请公布日 2021.01.08 (21)申请号 202011065987.7 (22)申请日 2020.09.30 (71)申请人中国科学院微电子研究所

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