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2023-05-24 发布于四川
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一种半椭圆氧化沟槽LDMOS晶体管.pdf

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本发明公开了一种半椭圆氧化沟槽LDMOS晶体管，埋氧层位于衬底层上方；硅膜层位于埋氧层上方；硅膜层包括硅体、源区、氧化沟槽、漂移区和漏区；硅体和漏区分设在硅膜层顶部两侧；源区处于硅体的凹槽处；氧化沟槽呈半椭圆形状，顶点位于硅膜层上表面；漂移区为硅膜层中除源区、硅体、氧化沟槽和漏区以外的所有区域；沟道由源区靠近漏区的那个侧面和漂移区之间硅体提供；源电极位于硅体和源区上方，覆盖部分硅体和源区；栅氧化层位于沟道上方，完全覆盖沟道；栅电极完全覆盖栅氧化层；扩展氧化层位于硅膜层上方，且与栅氧化层贴紧；漏电

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112201694 A (43)申请公布日 2021.01.08 (21)申请号 202011123996.7 H01L 29/10 (2006.01) (22)申请日 2

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