一种低硅、低镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法.pdfVIP

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2023-05-24 发布于四川
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一种低硅、低镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法.pdf

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本发明公开了一种低硅、低镁杂质合金深度脱硅、脱镁方法。本发明采用的方法为：1）合金熔化：将合金加入中频炉，升温熔化；2）通氧吹炼：合金熔化后，中频炉断电，将吹氧管插入熔体中，利用空压机进行鼓气吹炼，并加入硅石造渣，空气流量4~6m3/h；3）升温加热：吹炼火光呈红色时，需停止吹炼，重新通电升温，将中频炉中物料熔化；4）出渣：将炉中造出的渣舀出，再回到步骤2、步骤3和步骤4，至空气量耗完结束；5）出合金：停止吹炼，将中频炉中的熔体倾倒至坩埚中，待冷却至室温取出，将样品取出进行渣铁分离，所述合金产品

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112176192 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202011018868.6 (22)申请日 2020.09.24 (71)申请人衢州