一种侵入式神经电极失效分析方法.pdfVIP

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2023-05-20 发布于北京
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一种侵入式神经电极失效分析方法.pdf

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本发明涉及一种侵入式神经电极失效分析方法，包括以下步骤：分别连续采集不同植入时间的神经电极的脑电信号，直至所述神经电极失效导致采集到的脑电信号发生异常；获取失效的所述神经电极，并截取所述神经电极的尖端有效部位，用SEM分别观察不同植入时间的所述神经电极的尖端有效部位，并进行EDS元素分析；建立脑电信号发生异常、所述神经电极微观形貌、以及所述神经电极的EDS元素分布变化的联系。本发明能够从微观尺度研究神经电极电学失效模式背后的微观机理。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114903493 A (43)申请公布日 2022.08.16 (21)申请号 202210560954.2 (22)申请日 2022.05.23 (71)申请人华东师范大学地址 200061