具有增强高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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具有增强高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管.pdf

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本申请涉及具有增强高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管。该发明涉及一种LDMOS器件，包括第一导电类型的半导体衬底、形成在至少一部分衬底上的第二导电类型的掺杂漂移区、以及形成在掺杂漂移区中的第一导电类型的体区。第二导电类型的源极区域和漏极区域分别靠近体区和掺杂漂移区的上表面形成，并且彼此横向间隔。栅极结构设置在源极区域和漏极区域之间，栅极结构包括形成在体区上方的控制栅极和形成在掺杂漂移区上方的场板，栅极结构通过第一绝缘层与体区和掺杂漂移区电隔离。在场板的一部分和漂移区的一部分上形成氧化物结构，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883410 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210426847.0 (22)申请日 2022.04.22 (71)申请人上海晶丰明源半导体股份有限公司地址