一种碳化硅晶体生长炉的压力串级控制系统.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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一种碳化硅晶体生长炉的压力串级控制系统.pdf

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本发明公开一种碳化硅晶体生长炉的压力串级控制系统，涉及PVT法碳化硅单晶生长炉技术领域，主要结构包括主回路；主回路包括设置于炉腔上的第一真空装置、流量控制器、副回路以及第一控制器；副回路包括第二真空装置、第二控制器、比例阀、真空泵和真空管道，真空管道一端与炉腔相连通，真空管道另一端与真空泵的进口相连通，第二真空装置和比例阀均设置于真空管道上。本发明中的碳化硅晶体生长炉的压力串级控制系统，能够在用户设定的压力值变化、真空泵抽速波动的情况下快速使容器内压力控制在设定压力数值，提高了比例阀的调节频率和

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114875491 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210532735.3 (22)申请日 2022.05.11 (71)申请人宁波恒普真空科技股份有限公司地址