双端口SRAM单元及SRAM存储器.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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一种双端口SRAM单元及SRAM存储器，包括第一反相器、第二反相器、第一写传输晶体管、第二写传输晶体管、第一读传输晶体管以及第二读传输晶体管；第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管，第一写传输晶体管和第一读传输晶体管均与第一反相器连接，第二写传输晶体管和第二读传输晶体管均与第二反相器连接；其中，第一写传输晶体管的导通电流和第二写传输晶体管的导通电流均通过器件尺寸参数的调整、沟道特性参数的调整和/或栅极特性参数的调整得到增大；在不改变晶圆厂固有的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114882923 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210339958.8 (22)申请日 2022.04.01 (71)申请人天狼芯半导体（成都）有限公司地址