一种新型浮结碳化硅功率器件的SM-JTE终端结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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一种新型浮结碳化硅功率器件的SM-JTE终端结构及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种新型浮结碳化硅功率器件的SM‑JTE终端结构及其制备方法，该方法包括：提供一N+衬底；在N+衬底的一侧表面制作至少一层外延结构；外延结构包括：第一N‑外延层、以及在第一N‑外延层远离N+衬底的一侧表面进行离子注入后形成的浮结p区和JTE区；在至少一层外延结构远离N+衬底的一侧表面生长第二N‑外延层，并制作表面终端；在第二N‑外延层远离衬底的一侧表面生长氧化层；在第二N‑外延层远离衬底的一侧表面制作第一电极，并在N+衬底远离外延结构的一侧表面制作第二电极，第一电极与氧化层相触。本发

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883387 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210327018.7 (22)申请日 2022.03.30 (71)申请人西安电子科技大学地址 71000