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2023-05-19 发布于北京
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半导体装置.pdf

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本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括半导体堆叠，其包括多个半导体层位于基板上，其中半导体层彼此分开且沿着实质上垂直于基板的上表面的方向堆叠；隔离结构，位于半导体堆叠的底部周围并分开多个有源区；金属栅极结构，位于半导体堆叠的通道区上并包覆每一半导体层；栅极间隔物，位于半导体堆叠的源极/漏极区上并沿着金属栅极结构的顶部的侧壁；以及内侧间隔物，位于半导体堆叠的源极/漏极区上并沿着金属栅极结构的下侧部分的侧壁，且包覆每一半导体层的边缘部分。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883265 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210306008.5 (22)申请日 2022.03.25 (30)优先权数据 17/213,402 2021