脉冲阴极弧/工件偏压脉冲协同控制的沉积厚的四面体非晶碳膜的方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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脉冲阴极弧/工件偏压脉冲协同控制的沉积厚的四面体非晶碳膜的方法.pdf

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脉冲阴极弧/工件偏压脉冲协同控制的沉积厚的四面体非晶碳膜(ta‑C)的方法，本发明是为了解决ta‑C碳膜制备过程中较高的固有应力，限制了碳膜厚度的问题。沉积厚的ta‑C的方法：一、真空室内石墨阴极靶材与脉冲阴极弧电源连接，工件基体与工件脉冲偏压电源相连接；二、抽真空通入氩气，通过脉冲阴极弧/工件偏压脉冲协同控制放电模式沉积ta‑C碳膜，其中工件偏压脉冲中先施加多段正向短脉冲，之后的多段负向工件偏压脉冲与脉冲阴极弧多段正向脉冲保持同频率和脉宽工作。本发明通过多段正向偏压脉冲排斥Ar+离子，规避Ar

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114875367 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 202210485242.9 US 2009065350 A1 ,2009.03.