GaN太赫兹薄膜电路制备方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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GaN太赫兹薄膜电路制备方法.pdf

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本发明属于基本电气元件的技术领域，特别涉及GaN太赫兹薄膜电路制备方法。本发明是基于衬底上n‑‑GaN层/n+‑GaN层材料，首先形成GaN肖特基二极管的阴极和阳极，随后刻蚀去除GaN肖特基二极管区域外的n+‑GaN层至薄膜介质，紧接着将太赫兹电路传输线制备于薄膜介质表面，然后将衬底的底层Si去除，最后实现GaN太赫兹肖特基二极管与薄膜低损耗传输线的单片集成电路。本发明实现的GaN太赫兹薄膜电路具有工作频率高、损耗小、工艺良率高等优点，广泛适应于太赫兹频段GaN倍频器、探测器等芯片领域。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883191 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210475451.5 H01L 29/06 (2006.01)