一种磁控溅射沉积装置及磁控溅射沉积方法.pdfVIP

下载本文档

11
0
约1.02万字
约 9页
2023-05-19 发布于北京
举报
版权申诉

一种磁控溅射沉积装置及磁控溅射沉积方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供一种磁控溅射沉积装置及磁控溅射沉积方法，磁控溅射沉积装置中包括沉积腔室、靶材、磁控管及晶圆基座，沉积腔室的侧壁设置有靶材入口及靶材出口；靶材自靶材入口送入沉积腔室，以在沉积腔室的顶侧设置靶材，且通过靶材的运行，将靶材自靶材出口移出沉积腔室，以改变靶材在沉积腔室中的位置；磁控管位于沉积腔室中的靶材的上方，用于提供磁场；晶圆基座位于沉积腔室的底部，并与靶材相对设置，用于放置待沉积的晶圆。本发明在进行磁控溅射沉积时，可通过靶材的运行，改变靶材在沉积腔室中的位置，以提升靶材消耗的均匀性，从而可

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114892138 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210399726.1 (22)申请日 2022.04.15 (71)申请人上海积塔半导体有限公司地址 20