一种基于硅衬底的悬浮GaN微盘及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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一种基于硅衬底的悬浮GaN微盘及其制备方法.pdf

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本发明公开一种基于硅衬底的悬浮GaN微盘及其制备方法，包括谐振腔和输出波导，所述谐振腔为多边形，所述谐振腔的每个顶角或相邻的两个顶角分别连接所述输出波导。所述谐振腔为正六边形谐振腔。利用Si基外延片制备GaN微盘，所有制备过程与硅集成工艺兼容。可制备的微盘结构种类多，可应用于不同尺寸的微盘的制备。本发明采用光刻‑干法刻蚀相结合的工艺制备微盘，工艺简单，鲁棒性强。微盘底部的硅衬底被全部腐蚀掉，避免了谐振腔中的光学模式从硅衬底泄漏，提高了谐振腔的光限制能力。微盘与输出波导直接连接，能够实现谐振腔与输

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114899703 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210437910.0 (22)申请日 2022.04.25 (71)申请人南京信息职业技术学院地址 210