半导体元件及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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半导体元件及其形成方法.pdf

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一种半导体元件及其形成方法，半导体元件包括：一基板；一半导体结构，该半导体结构悬浮在该基板上方且包含一源极区域、一漏极区域及设置于该源极区域与该漏极区域之间的一通道区域。该通道区域包括一掺杂二维(2D)材料层，该掺杂2D材料层包含在该通道区域的一上表面上的一第一部分。该半导体元件亦包括：一界面层，该界面层围绕包括该掺杂2D材料层的该第一部分的该通道区域；及及一栅极电极，该栅极电极围绕该界面层。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883397 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210344586.8 H01L 29/78 (2006.01)