一种低缓冲层漏电电流的HEMT外延结构及HEMT器件.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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一种低缓冲层漏电电流的HEMT外延结构及HEMT器件.pdf

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本发明公开了一种低缓冲层漏电电流的HEMT外延结构，包括：由下至上依次设置的硅衬底、AlN成核层、背势垒电子阻挡层、应力调控层、GaN高阻层、GaN沟道层和势垒层；硅衬底包括：由下至上依次设置的第一子衬底、第二子衬底和第三子衬底；背势垒电子阻挡层为周期性外延的AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN超晶格结构。本发明还提供一种低缓冲层漏电电流的HEMT器件。本发明通过第一子衬底与第二子衬底接触形成PN结，阻止硅衬底与AlN成核层界面形成反型电子层，从而阻止硅衬底的电子进入应力调控层，减少缓冲层漏电

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883390 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210343086.2 (22)申请日 2022.04.02 (71)申请人西安电子科技大学地址 71000