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提高二维电子气迁移率的HEMT外延片及其制备方法.pdfVIP

提高二维电子气迁移率的HEMT外延片及其制备方法.pdf

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    本公开提供了一种提高二维电子气迁移率的HEMT外延片及其制备方法，属于半导体器件技术领域。在GaN沟道层与AlGaN势垒层之间增加复合插入层，且复合插入层包括依次层叠的第一Al金属子层、第一AlN子层、第二Al金属子层与第二AlN子层。提高第一AlN子层的生长均匀度与表面质量，提高GaN沟道层与AlGaN势垒层之间的二维电子迁移率。在第一Al金属子层与第一AlN子层上依次层叠第二Al金属子层与第二AlN子层，释放应力以减少缺陷；进一步提高晶体质量。提高GaN沟道层与AlGaN势垒层的界面质量并有

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114899229 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210364195.2 (22)申请日 2022.04.07 (71)申请人 华灿光电（浙江）有限公司 地址 3

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