半导体装置的制造方法、基板处理装置和程序.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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半导体装置的制造方法、基板处理装置和程序.pdf

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本发明具有：(a)在第一温度下将包含对在表面形成有凹部的基板供给原料气体的工序、对基板供给第一含氮和氢气体的工序、以及对基板供给第二含氮和氢气体的工序的循环进行预定次数，从而使包含原料气体、第一含氮和氢气体、以及第二含氮和氢气体中的至少一种所含的元素的低聚物在基板的表面和凹部内生成并生长、流动，在基板的表面和凹部内形成含低聚物层的工序；以及(b)在第一温度以上的第二温度下，对在基板的表面和凹部内形成有含低聚物层的基板进行后处理，从而使在基板的表面和凹部内形成的含低聚物层改性，以埋入凹部内的方式形

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114902382 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202080091072.5 (51)Int.Cl.