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2023-05-19 发布于北京
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本发明提供利用了隧道接合并发出深紫外光，抑制形成隧道接合的n型层和p型层对光的吸收的发光元件。作为本发明的一个方式，提供一种发光元件(1)，其具备n型接触层(12)、发出深紫外光的发光层(13)、由包含Mg的AlGaInN构成的p型层(15)、与p型层(15)进行隧道接合并由n型半导体构成的n型接触层(16)、与n型接触层(12)连接的n电极(18)、以及与n型接触层(16)连接的p电极(17)，p型层(15)和n型接触层(16)的带隙大于发光层(13)的带隙，p型层(15)的与n型接触层(16

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883457 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202111601264.9 (22)申请日 2021.12.24 (30)优先权数据 2021-017635 202