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本发明提供一种半导体工艺炉的炉门及半导体工艺炉,炉门本体用于对半导体工艺炉的炉体进行密封,炉门本体中设置有气冷通道,气冷通道均匀分布在炉门本体中,气冷通道用于供预设温度的冷却气体通入,冷却气体包括在预设温度下为气态的工艺副产物;检测组件用于检测气态的工艺副产物是否在气冷通道中冷凝;加热部件设置在炉门本体上,用于在检测组件检测到气态的工艺副产物在气冷通道中冷凝时,对炉门本体进行加热,直至工艺副产物恢复为气态。本发明提供的半导体工艺炉的炉门及半导体工艺炉,能够减少工艺副产物冷凝颗粒及金属离子的产生,
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114774884 A
(43)申请公布日 2022.07.22
(21)申请号 202210461291.9
(22)申请日 2022.04.28
(71)申请人 北京北方华创微电子装备有限公司
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