半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于北京
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半导体器件及其制造方法.pdf

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提供了一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：在衬底上依次形成氧化物层、浮置栅极层、电介质层、控制栅极层和硬掩模层；蚀刻硬掩模层、控制栅极层、电介质层和浮置栅极层，以形成栅极堆叠体；移除氧化物层的在衬底的第一区域和第二区域上的部分；在衬底的第一区域和第二区域上分别形成第一选择栅极氧化物结构和第二选择栅极氧化物结构，并且，在栅极堆叠体两侧分别形成隧穿氧化物结构；在隧穿氧化物结构的与栅极堆叠体相对的一侧分别形成选择栅极；蚀刻栅极堆叠体，以形成第一开口；在衬底的位于第一开口下方的部分中形成源极区域

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114743976 A (43)申请公布日 2022.07.12 (21)申请号 202210507404.4 (22)申请日 2022.05.10 (71)申请人北京知存科技有限公司地址 100