形成半导体器件的方法和半导体结构.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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形成半导体器件的方法和半导体结构.pdf

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本申请的实施例提供了一种形成半导体器件的方法包括：在衬底中形成N阱和P阱；在N阱和P阱上方沉积具有硅的第一层；在第一层上方沉积第一介电层；在第一介电层上方形成抗蚀剂图案，该抗蚀剂图案提供位于N阱正上方的开口；通过开口蚀刻第一介电层和第一层，留下位于N阱上方的第一层的第一部分；去除抗蚀剂图案；以及在第一层的第一部分上方外延地生长具有硅锗(SiGe)的第二层。外延地生长第二层包括以下步骤：(a)实施烘烤工艺、(b)沉积硅晶种层、以及(c)在硅晶种层上方沉积SiGe层，其中，步骤(a)、(b)、和(c

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114765134 A (43)申请公布日 2022.07.19 (21)申请号 202110887383.9 (22)申请日 2021.08.03 (30)优先权数据 63/137,592 2021