一种半导体外延结构及其制备方法与功率及射频器件.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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一种半导体外延结构及其制备方法与功率及射频器件.pdf

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本发明涉及一种半导体外延结构及其制备方法与功率及射頻器件。所述半导体外延结构包括层叠设置的衬底、缓冲层、应力调节层和飘移层；所述应力调节层包括半导体材料和掺杂材料；所述半导体材料包括AlN、GaN、AlxGa1‑xN或InbAlaGa1‑a‑bN中的任意一种或至少两种的组合，其中0＜x＜1，0＜a＜1，0＜b＜1。本发明提供的应力调节层中含有半导体材料并添加掺杂材料，位于缓冲层和飘移层之间，利用应力调节层调节外延层调变应变张力效应，减缓了衬底与缓冲层间因差异晶格常数与热膨胀系数不同而产生的螺旋型

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114784090 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202210389364.8 (22)申请日 2022.04.13 (71)申请人闽都创新实验室地址 350108