半导体结构及其制备方法、阻值异常的检测方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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半导体结构及其制备方法、阻值异常的检测方法.pdf

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本发明提供了一种半导体结构及其制备方法、阻值异常的检测方法。在本发明提供的半导体结构中，利用衬底内的第三导电层与第一导电层连接，并使第三导电层延伸出，从而可将延伸出的第三导电层和第二导电层分别连接至第一信号端和第二信号端，使得检测过程中第一导电层和第二导电层是以串联方式连接，此时，当第一导电层和第二导电层中的任一出现电阻异常时均能够以等同幅度反映于串联电阻，而能够被检测出，提高了阻值异常的检测灵敏度。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114759014 A (43)申请公布日 2022.07.15 (21)申请号 202210397239.1 (22)申请日 2022.04.15 (71)申请人福建省晋华集成电路有限公司地址