半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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半导体装置及其制造方法.pdf

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一种半导体装置及其制造方法，在半导体的制造方法中，设置罩幕在半导体层或半导体基材上。蚀刻半导体层或半导体基材在通过罩幕勾画的区域内，以形成空腔。通过设置在半导体层或半导体基材上的罩幕，进行离子布植，加衬空腔，以形成围阻结构。通过设置在半导体层或半导体基材上的罩幕，以基底半导体材料填入围阻结构。在以基底半导体材料填入围阻结构之后，移除罩幕。至少一半导体元件是制作在沉积于围阻结构内的基底半导体材料之内及/或之上。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114783941 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202210028508.7 (22)申请日 2022.01.11 (30)优先权数据 63/166,498 2021