一种改善掩模版光刻图形离焦的方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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一种改善掩模版光刻图形离焦的方法.pdf

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本发明提供一种改善掩模版光刻图形离焦的方法，提供未沉积任何遮光材料的掩模版玻璃基板；根据产品的图形设计布局，对具有不同聚焦值的光刻图形对应在掩模版上的区域的玻璃基板进行刻蚀，各区域间刻蚀深度的差值与对应光刻图形间的聚焦值差值保持一致；对刻蚀后的掩膜版玻璃基板进行遮光材料沉积；根据产品的图形设计布局对掩膜版进行曝光和刻蚀，将图形转移到掩模版上，得到制备的掩膜版；使用制备的掩模版对晶圆进行曝光，将制备的掩模版上图形转移至晶圆上；通过线宽测量扫描电子显微镜对所述光刻图形的关键尺寸进行测量，检测晶圆表面

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114779574 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202210394303.0 (22)申请日 2022.04.14 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址