微型发光二极管芯片及其制备方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.73万字
约 16页
2023-05-15 发布于四川
举报
版权申诉

微型发光二极管芯片及其制备方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本公开提供了一种微型发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该微型发光二极管芯片包括：基板、发光结构、第一焊点块、第二焊点块和散射层；发光结构位于基板的表面，散射层位于发光结构远离基板的表面，第一焊点块和第二焊点块均位于散射层的远离基板的表面，第一焊点块和第二焊点块分别与发光结构的两个电极连接；散射层包括绝缘层和多个反射凸起，绝缘层位于发光结构远离基板的表面，多个反射凸起间隔排布在绝缘层远离基板的表面。本公开实施例能提升芯片的侧向光的比例，降低垂直方向的光线比例，以提升芯片的侧面发光

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114744094 A (43)申请公布日 2022.07.12 (21)申请号 202210193890.7 (22)申请日 2022.03.01 (71)申请人华灿光电（浙江）有限公司地址 3