分离栅闪存存储器单元及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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分离栅闪存存储器单元及其制作方法.pdf

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本发明公开一种分离栅闪存存储器单元及其制作方法，其中该分离栅闪存存储器单元包括一半导体基底，其上具有选择栅极氧化层和浮动栅极氧化层；一浮动栅极，在浮动栅极氧化层上；一橄榄球状氧化层，在浮动栅极上，其中浮动栅极包括在橄榄球状氧化层下方的尖端；一选择栅极，在选择栅极氧化层上并延伸到橄榄球状氧化层上；一栅极间层，在选择栅极和浮动栅极之间，其中栅极间层的厚度小于选择栅极氧化层的厚度；一源极区，设于半导体基底中并与浮动栅极相邻；以及一漏极区，设于半导体基底中并与选择栅极相邻。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114743978 A (43)申请公布日 2022.07.12 (21)申请号 202110019031.1 (22)申请日 2021.01.07 (71)申请人联华电子股份有限公司地址中国台