三维存储器及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于北京
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三维存储器及其制备方法.pdf

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提供了一种用于形成三维(3D)存储器件的方法。该方法包括：设置交替电介质堆叠体(554)，该交替电介质堆叠体(554)包括交替堆叠在衬底(330)上的第一电介质层(556)和第二电介质层(558)；形成在垂直于衬底(330)的第一方向上穿透交替电介质堆叠体(554)的沟道结构(666)。沟道结构(666)包括在第一方向上延伸的电荷俘获层(337‑2)。该方法还包括去除交替电介质堆叠体(554)的顶部部分处的至少一个第二电介质层(558)以形成顶部选择栅极(TSG)切口通道(876)并在平行于衬底

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114730768 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202180004505.3 (51)Int.Cl.