静电保护结构、静电保护电路、芯片.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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静电保护结构、静电保护电路、芯片.pdf

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本公开涉及半导体技术领域，提出一种静电保护电路及结构、芯片，静电保护结构包括半导体衬底、位于半导体衬底内的第一N型阱、第二N型阱、第一P型阱，以及位于第一P型阱内的第一P型掺杂部、第一N型掺杂部、第二N型掺杂部、位于第一N型阱内的第二P型掺杂部、第三N型掺杂部、位于第二N型阱内的第三P型掺杂部、第四N型掺杂部。第一P型阱位于第一N型阱和第二N型阱之间；第三N型掺杂部、第一P型掺杂部、第四N型掺杂部电连接，第二P型掺杂部、第二N型掺杂部连接静电保护结构的第一信号端，第一N型掺杂部、第三P型掺杂部连

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114743967 A (43)申请公布日 2022.07.12 (21)申请号 202210363798.0 (22)申请日 2022.04.07 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 230