采用原位氧化的无氟钨沉积工艺及用于实现此工艺的设备.pdfVIP

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2023-05-15 发布于北京
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采用原位氧化的无氟钨沉积工艺及用于实现此工艺的设备.pdf

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一种在衬底上沉积钨的方法，该方法包括将衬底安置于钨沉积设备的真空外壳中；执行第一钨沉积工艺，该第一钨沉积工艺通过使含氟钨前驱气体流入真空外壳中而在衬底的物理暴露表面上沉积第一钨层；通过当衬底保持在真空外壳内而不破坏真空时将第一钨层暴露于氧化剂气体，并且形成从真空外壳抽出的氟氧化钨气体，来执行原位氧化工艺；以及执行第二钨沉积工艺，该第二钨沉积工艺通过在原位氧化工艺之后的第二钨沉积工艺中，使含氟钨前驱气体流入真空外壳，而在第一钨层上沉积第二钨层。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114729446 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202180006531.X (74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理