一种刻蚀晶圆表面的SiO2同时钝化晶圆的方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于北京
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一种刻蚀晶圆表面的SiO2同时钝化晶圆的方法.pdf

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本发明提供了一种刻蚀晶圆表面的SiO2同时钝化晶圆的方法，该方法为：将刻蚀系统的衬底的温度调整到80℃～200℃，向刻蚀系统中通入氘气作为刻蚀气体，所述氘气经过所述刻蚀系统后成为氘等离子体，所述氘等离子体刻蚀晶圆表面的SiO2，同时钝化晶圆表面，得到刻蚀表面SiO2同时钝化的晶圆。本发明使用氘气作为刻蚀气体，去除晶圆表面SiO2的同时能够使晶圆表面得到钝化，保证其初始表面的洁净度。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114709133 A (43)申请公布日 2022.07.05 (21)申请号 202210379564.5 (22)申请日 2022.04.12 (71)申请人中船（邯郸）派瑞特种气体股份有限