一种稀土氟氧化物薄膜的形成方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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一种稀土氟氧化物薄膜的形成方法.pdf

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本发明公开了一种稀土氟氧化物薄膜的形成方法，属于半导体涂层制备技术领域，包括以下步骤：提供包含F离子或C离子或S离子的气体；将上述气体进行加热预处理，使其产生游离的F离子，在低压反应腔内与Y2O3涂层反应，所述低压反应腔的压力小于等于101kPa，所述加热预处理后的气体温度为200～1000℃。将预处理后的气体与Y2O3涂层反应生成氟氧化钇薄膜。采用本发明方法制备氧氟化钇薄膜，反应更为充分，得到的氧氟化钇薄膜的纯度较高，异相氟化钇等杂质的含量较少，可以加强耐等离子体的防腐能力。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114717555 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202210504745.6 (22)申请日 2022.05.10 (71)申请人重庆臻宝实业有限公司地址 401