半导体结构的形成方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.57万字
约 13页
2023-05-15 发布于北京
举报
版权申诉

半导体结构的形成方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供待处理的基底结构，所述待处理的基底结构包括基底层以及凸出于所述基底层的图形结构，所述基底结构的表面具有吸附基团；采用反应气体对所述基底结构的表面进行等离子体处理，所述反应气体与所述吸附基团发生化学反应，用于使所述基底结构表面的前驱体吸附形核点数量趋于相同；在所述等离子体处理之后，利用原子层沉积工艺，形成保形覆盖所述基底结构表面的目标层。通过对基底结构的表面进行等离子体处理，使得图形结构的顶面和侧壁、以及基底层表面的前驱体吸附形核数量相同，从而实现对基底结构

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114724923 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202110015122.8 H01L 21/28 (2006.01) (22)申请日 2021.01.