多晶硅的沉积方法及接触插塞的制造方法.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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多晶硅的沉积方法及接触插塞的制造方法.pdf

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本发明涉及多晶硅的沉积方法及位线/存储节点接触插塞的制造方法。一种多晶硅的沉积方法，包括：提供一待沉积多晶硅的半导体结构；将所述半导体结构置于沉积炉中，升温至T1后，保持恒温，在恒温下进行第一阶段硅沉积；然后按一定速率升温至T2，在升温过程中同时不断沉积硅，完成第二阶段硅沉积；继续使温度保持在T2，保持恒温，在恒温下进行第三阶段硅沉积；其中，T1和T2的范围均为300～650℃，并且T2＞T1。本发明用于凹槽内沉积时具有较高的台阶覆盖率，并且由于在升温过程中完成了部分硅沉积，沉积效率相比现有技术

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114743974 A (43)申请公布日 2022.07.12 (21)申请号 202110020532.1 (22)申请日 2021.01.07 (71)申请人中国科学院微电子研究所地址 10