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2023-05-15 发布于北京
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半导体装置.pdf

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本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备半导体基板，该半导体基板具有晶体管部和二极管部，半导体基板具有设置于内部的第一导电型的漂移区，晶体管部具有：晶体管区，其在俯视半导体基板时与二极管部分离；以及边界区，其在俯视半导体基板时位于晶体管区与二极管部之间，并且在漂移区中，在半导体基板的正面侧具有寿命控制区，边界区具有电流抑制结构。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114730805 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202180006775.8 (74)专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限