使用简化模型的基于断层摄影术的半导体测量.pdfVIP

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2023-05-15 发布于四川
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使用简化模型的基于断层摄影术的半导体测量.pdf

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本文中呈现了用于与半导体结构的基于经断层摄影解析的图像的测量相关联的经改进正则化的方法及系统。本文中所描述的正则化基于捕获已知工艺变化的受约束体素模型的测量数据及参数化。基于简化几何模型、工艺模型或者两者来确定所述受约束体素模型，从而表征被测量结构。与未受约束体素模型相比，受约束体素模型具有明显较少自由度。与所述受约束体素模型的每一体素相关联的值取决于相对小数目的自变量。所述自变量的选择由对所述结构及基本制造工艺的了解提供。基于受约束体素模型的正则化使得能够以较少计算工作量更快速地收敛及更精确地

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114746991 A (43)申请公布日 2022.07.12 (21)申请号 202080083663.8 (74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限