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一种Si-GaN单片异质集成反相器及其制备方法.pdfVIP

一种Si-GaN单片异质集成反相器及其制备方法.pdf

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    本发明公开了一种Si‑GaN单片异质集成反相器，包括：衬底、衬底上的GaN缓冲层、位于GaN缓冲层上的第一AlGaN势垒层和第二AlGaN势垒层；第一AlGaN势垒层和第二AlGaN势垒层之间具有隔离槽；第一AlGaN势垒层上设有第一p‑GaN层，第一p‑GaN层上设有SiN隔离层；SiN隔离层上设有Si有源层；Si有源层上覆盖有栅介质层，栅介质层上设有第一栅电极；第一栅电极的两侧分别设有第一源电极和第一漏电极；第二AlGaN势垒层上设有第二p‑GaN层、第二源电极、第二漏电极、第二栅电极；第一

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114725094 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202210096697.1 (22)申请日 2022.01.26 (71)申请人 西安电子科技大学广州研究院 地址

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