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一种半导体器件,包括:衬底;有源图案,在衬底上沿第一方向延伸;第一纳米片和第二纳米片,堆叠在有源图案上以在竖直方向上彼此间隔开;栅电极,在有源图案上沿第二方向延伸,栅电极围绕第一纳米片和第二纳米片中的每一个;源极/漏极区域,在栅电极的至少一侧;以及内部间隔物,在栅电极和源极/漏极区域之间,内部间隔物包括在有源图案和第一纳米片之间的第一内部间隔物和在第一纳米片和第二纳米片之间的第二内部间隔物,第二内部间隔物具有与第一纳米片相邻的第一部分和与第二纳米片相邻的第二部分,第一部分比第二部分宽。
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114678356 A (43)申请公布日 2022.06.28 (21)申请号 202111408672.2 B82Y 10/00 (2011.01) (22)申请日 2021.11.
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