一种量子点发光二极管及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-14 发布于北京
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一种量子点发光二极管及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括设置在阴极和阳极之间的量子点发光层，以及设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，所述空穴传输层与所述量子点发光层之间设置有界面层，所述界面层材料为石榴石，所述石榴石的结构通式为Li3N3M2O12，其中，M为Te或W；N为Y,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb或Lu；所述界面层的HOMO能级大于所述空穴传输层的HOMO能级且小于所述量子点发光层的HOMO能级。本发明中，所述界面层可有效降低空

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114695706 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202011632731.X (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人 TCL科技集团股份有限公司地址